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半导体前道设备

RIE 研发及小批量

产地:英国
品牌:牛津


主要特征
1. 通过顶部电极中的“喷头”气体入口将气体注入处理室
2. 下电极上形成负自偏压
3. 单个RF等离子体源确定离子密度和能量
4. 通常将基板放置在石英或石墨“盖板”上以避免电极材料的溅射/再沉积
5. 5-500 mTorr工作压力


主要优势
1. 一般等离子蚀刻的经济解决方案
2. 操作简单
3. 多种蚀刻工艺选择:
4. 化学蚀刻 - 各向同性,快速
5. 离子诱导蚀刻 - 各向异性,中等速率
6. 物理蚀刻 - 各向异性,慢速
7. 广泛应用于半导体去处理和故障分析
8. 可蚀刻多种材料,包括:
1)介电材料(SiO 2,SiNx等)
2)硅基材料(Si,a-Si,poly-Si)
3)III-V材料(GaAs,InP,GaN等)
4)溅射金属(Au,Pt,Ti,Ta,W等)
5)类金刚石碳(DLC)


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