产地：英国
品牌：牛津
主要特征
1. 通过顶部电极中的“喷头”气体入口将气体注入处理室
2. 下电极上形成负自偏压
3. 单个RF等离子体源确定离子密度和能量
4. 通常将基板放置在石英或石墨“盖板”上以避免电极材料的溅射/再沉积
5. 5-500 mTorr工作压力
主要优势
1. 一般等离子蚀刻的经济解决方案
2. 操作简单
3. 多种蚀刻工艺选择：
4. 化学蚀刻 - 各向同性，快速
5. 离子诱导蚀刻 - 各向异性，中等速率
6. 物理蚀刻 - 各向异性，慢速
7. 广泛应用于半导体去处理和故障分析
8. 可蚀刻多种材料，包括：
1）介电材料（SiO 2，SiNx等）
2）硅基材料（Si，a-Si，poly-Si）
3）III-V材料（GaAs，InP，GaN等）
4）溅射金属（Au，Pt，Ti，Ta，W等）
5）类金刚石碳（DLC）
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京公网安备11010802042554号
