产品服务
PRODUCT

产品&服务

Products & Services

半导体前道设备

IBE/IBD 离子束刻蚀/沉积

产地:英国
品牌:牛津


该设备有较高的灵活性进行刻蚀和/或沉积。系统规格可根据应用进行调节,从而实现更快的和可重复的工艺结果。

离子束可实现多种模式功能:
1. 离子束刻蚀(IBE)
2. 反应离子束刻蚀(RIBE)
3. 化学辅助离子束刻蚀( CAIBE )
4. 离子束溅射沉积( IBSD )
5. 离子辅助溅射沉积( IASD )


如需了解更详细的设备信息,敬请与我们联系。